Transistors, wkoll msemmija bħala a transistors ġonta bipolari semi-kondutturi, l-ekwivalenti ta ' żewġ dajowd jkunu dahar ma dahar PN ġonta. Quddiem bias EB għoqda toqob injettat mir-reġjun emitter jarmi aktar mill, waqt li ħafna mill-konfini tat-toqba għand il-kollettur u CB f ' ġonta bias opposti ostakolu taħt l-azzjoni ta ' kamp elettriku għand il-kollettur reġjun, jiffurmaw il-IC kurrenti kollettur. Fiċ-ċirkuwitu komuni-emitter jarmi aktar mill transistors, laneç fil-bażi taċ-ċirkwit hija tat-tlielaq li bias l-vultaġġ qatra huwa żgħir ħafna.
500 ω kollettur hemm huwa qatra vultaġġ tul ir-reżistenza tat-tagħbija VRC = 10mA * 500 ω = 5V, waqgħa tal-voltaġġ transistors bejn kollettur u emitter jarmi aktar mill-VCE = 5V, jekk l-bażi li jalterna stivar fiċ-ċirkuwitu bias għal IB kurrenti żgħar, tidher fiċ-ċirkuwitu kollettur kurrent li jalterna korrispondenti IC, c/IB = beta, transistor bipolari semi-kondutturi #39; s amplifikazzjoni kurrenti hija realizzati.
Biċċa l-kbira tal-kollettur bias vultaġġ bejn emitter jarmi aktar mill- u hija miżjuda fuq il-kollettur preġudikati bil-maqlub. Peress li VBE hija żgħira ħafna, hekk l-bażi kurrenti hija bejn wieħed u ieħor IB = 5V / 50k ω = 0.1mA. Jekk il-transistors #39; s emitter jarmi aktar mill kurrenti jamplifikaw koeffiċjent β = IC/IB = 100, kollettur IC kurrenti = beta * IB = 10mA.